RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Puntuación global
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
62
82
En 24% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.3
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.3
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
82
Velocidad de lectura, GB/s
7.4
12.3
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
11.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1612
1930
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB
Crucial Technology M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link