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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
62
En -51% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.7
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
41
Velocidad de lectura, GB/s
7.4
12.7
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
9.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1612
2501
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
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