RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Puntuación global
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
5.9
5.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
62
En -82% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.6
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
34
Velocidad de lectura, GB/s
7.4
9.6
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
5.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1612
1839
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link