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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Puntuación global
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
62
67
En 7% menor latencia
Razones a tener en cuenta
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.3
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
67
Velocidad de lectura, GB/s
7.4
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1612
1798
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
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V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
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G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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