RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Puntuación global
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
65
En -124% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
1,592.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
29
Velocidad de lectura, GB/s
3,580.8
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,592.0
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
572
3392
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link