RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
41
En 41% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
10.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
41
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
12.7
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
19200
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
2621
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Kingston 99U5469-029.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link