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Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
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Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Puntuación global
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
107
En -174% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.9
4.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
107
39
Velocidad de lectura, GB/s
8.5
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
4.7
11.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
25600
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1022
2782
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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