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Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Compara
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Puntuación global
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Puntuación global
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
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Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
36
En -57% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.2
13
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.0
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
23
Velocidad de lectura, GB/s
13.0
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2268
3004
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
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