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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Puntuación global
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
57
En -104% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.1
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.6
5.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
57
28
Velocidad de lectura, GB/s
6.8
18.1
Velocidad de escritura, GB/s
5.5
15.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1244
3693
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
INTENSO 5641162 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
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