RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Compara
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Puntuación global
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
37
En 27% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
13
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.8
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
37
Velocidad de lectura, GB/s
13.0
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
13.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2489
3170
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-466.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link