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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Compara
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Puntuación global
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
27
En 4% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.6
14.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.5
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
27
Velocidad de lectura, GB/s
14.2
14.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
10.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2277
2409
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
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