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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Compara
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Puntuación global
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Puntuación global
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
31
En 13% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.4
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.2
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
31
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
18.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
14.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2196
3500
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
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