RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Compara
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Puntuación global
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Puntuación global
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
29
En 7% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.9
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
29
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
15.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2196
3866
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link