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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Compara
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Puntuación global
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Puntuación global
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
30
En -67% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.2
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.2
6.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
18
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
20.2
Velocidad de escritura, GB/s
6.4
16.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1927
3536
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Super Talent SUPERTALENT 2GB
SK Hynix HMT351S6CFR8A-PB 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
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