RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Compara
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB vs A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Puntuación global
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
69
En -77% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.8
6.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.6
3.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
39
Velocidad de lectura, GB/s
6.4
12.8
Velocidad de escritura, GB/s
3.7
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1129
2089
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Samsung M391B5773DH0-CK0 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link