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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Compara
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Puntuación global
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Puntuación global
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
75
En -168% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.6
2,036.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
75
28
Velocidad de lectura, GB/s
3,986.4
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
2,036.1
8.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
714
2361
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
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