RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Compara
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB vs Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Puntuación global
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.8
11.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.3
5.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
42
En -31% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
32
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
11.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
5.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2095
1424
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905402-664.A00LF 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link