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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Compara
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Puntuación global
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Puntuación global
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
42
52
En 19% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.5
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
52
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
20.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
10.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2095
2472
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905402-664.A00LF 4GB
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Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
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