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Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Puntuación global
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
41
En -37% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.5
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
30
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
9.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2039
2374
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
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