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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Compara
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Puntuación global
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.9
10.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
40
En -21% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
33
Velocidad de lectura, GB/s
12.9
10.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2078
2235
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT41GU6MFR8C-PB 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
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