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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Compara
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB vs Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Puntuación global
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Puntuación global
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
76
En 47% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.9
10.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.5
6.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
76
Velocidad de lectura, GB/s
12.9
10.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
6.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2078
1260
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
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