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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Compara
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB vs Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Puntuación global
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Puntuación global
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
40
En -33% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.7
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
30
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
14.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2125
3527
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
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Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
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