RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Compara
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Puntuación global
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
29
En 10% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.9
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.0
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
29
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
18.9
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
15.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1489
3466
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99P5471-002.AOOLF 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link