RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Compara
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Puntuación global
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Puntuación global
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
40
En -8% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
21.4
13.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.3
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
37
Velocidad de lectura, GB/s
13.1
21.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2148
3448
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston TSB16D3LS1KFG/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link