RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Compara
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Puntuación global
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
60
76
En 21% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.1
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.9
5.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
14900
En 1.43 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
60
76
Velocidad de lectura, GB/s
6.8
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
5.4
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
14900
21300
Other
Descripción
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1411
1859
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link