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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Compara
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Puntuación global
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Puntuación global
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
74
En 65% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
7.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.3
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
74
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
7.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2432
1779
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
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