RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Compara
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Puntuación global
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
48
En 17% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.6
10.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.3
8.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
48
Velocidad de lectura, GB/s
13.6
10.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2035
2431
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link