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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Compara
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Puntuación global
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Puntuación global
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
13.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
58
En -71% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
34
Velocidad de lectura, GB/s
4,025.3
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
670
2927
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
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