RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Compara
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Puntuación global
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
58
En -49% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.5
2,107.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
39
Velocidad de lectura, GB/s
4,025.3
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
7.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
670
2245
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link