RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Compara
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
51
En -132% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
15.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
11.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
22
Velocidad de lectura, GB/s
15.6
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2687
3169
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link