Comparación de la memoria RAM Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB

Puntuación global

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Mayor velocidad de lectura, GB/s

15.6 14.3

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

11.8 11.4

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

25600 17000

En 1.51% mayor ancho de banda

Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

28 51

En -82% menor latencia

Lista completa de especificaciones técnicas

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB

Principales características

Other

Descripción

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2687 2481

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns