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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Compara
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Puntuación global
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
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Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
37
En -42% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
26
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2395
2974
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
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