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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Compara
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Puntuación global
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Puntuación global
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
42
En -27% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.4
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.2
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
33
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
18.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
17.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2150
3738
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
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Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
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