RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Compara
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Puntuación global
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
42
En -40% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.3
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
30
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2150
3527
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Corsair CMSA4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link