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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Compara
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Puntuación global
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
42
En -17% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.0
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
36
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2150
2417
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
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G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
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