RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Compara
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Puntuación global
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Puntuación global
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
13.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
71
En -92% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.2
1,322.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
71
37
Velocidad de lectura, GB/s
2,831.6
13.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,322.6
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
399
2191
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link