RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Compara
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Puntuación global
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Puntuación global
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
15.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
71
En -109% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.6
1,322.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
71
34
Velocidad de lectura, GB/s
2,831.6
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,322.6
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
399
2786
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link