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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Puntuación global
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
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Especificaciones
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
35
En -17% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.1
13.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.0
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
30
Velocidad de lectura, GB/s
13.7
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2312
1847
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
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