Comparación de la memoria RAM PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

Puntuación global

PNY Electronics PNY 2GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

27 34

En 21% menor latencia

Razones a tener en cuenta
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

Mayor velocidad de lectura, GB/s

16.7 13.8

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

12.3 8.4

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

25600 10600

En 2.42 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

PNY Electronics PNY 2GB

Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj

7-7-7-20 / 1333 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2274 2584

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns