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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Compara
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB vs Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Puntuación global
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
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Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
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Razones a tener en cuenta
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
43
En -95% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
22
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.3
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2285
3182
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
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