RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
31
En 19% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
16.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.3
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
31
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
3056
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Kingston KF548C38-16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link