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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
25
En -25% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19
16.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.5
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
20
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
19.0
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
14.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
3462
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
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