RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
26
En 4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
14.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.1
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
26
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
11.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
2313
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link