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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
25
En -14% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
16.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
22
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
10.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
2706
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
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