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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.3
16.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.9
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
25
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
19.3
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
15.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
3751
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
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