Comparación de la memoria RAM Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB

Puntuación global

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

25 35

En 29% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

16.1 15.8

Valor medio en las pruebas

Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB

Mayor velocidad de escritura, GB/s

12.4 10.1

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

25600 12800

En 2 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj

9-9-9-24 / 1600 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2764 2852

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns