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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Compara
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
12.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
43
En -59% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.9
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
27
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
12.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
15.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
3199
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
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