Comparación de la memoria RAM Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB

Puntuación global

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

34 43

En -26% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

16.4 14.9

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

12.1 9.6

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

21300 12800

En 1.66 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2506 2616

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns