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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Puntuación global
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Puntuación global
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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Informar de un error
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    14.9 left arrow 12.2
    Valor medio en las pruebas
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
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  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    9.7 left arrow 9.6
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 12800
    En 1.33 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    43 left arrow 43
  • Velocidad de lectura, GB/s
    14.9 left arrow 12.2
  • Velocidad de escritura, GB/s
    9.6 left arrow 9.7
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2506 left arrow 2501

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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Kingston 9905678-177.A00G 8GB
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Memoria RAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
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Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
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Memoria RAM
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