RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
12.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
59
En -146% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
24
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
3204
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link